ฟูจิโอะ มาสุโอกะ (舛岡富士雄)
ผู้สร้างแฟลชเมมโมรี (Flash memory)
มาสุโอกะ เกิดวันที่ 8 พฤษภาคม 1943 ในเมืองทากาซากิ จังหวัดกัมม่ะ (Takasaki, Gunma) ประเทศญี่ปุ่น
1971 เข้าทำงานกับบริษัทโตชิบ้า (Toshiba)
จบปริญญาเอกจาก Tohoku University
สร้างหน่วยความจำที่เรียกว่า SAMOS
หลังจากทำงานที่โตชิบ้าอยู่ 5 ปี เขาสร้าง DRAM (dynamic random-access memory) ที่มีความจุ 1 เมกะบิตได้สำเร็จ แต่ข้อเสียของ DRAM คือความจำจะหายไปเมื่อไม่มีกระแสไฟฟ้า มาสุโอกะจึงเกิดแนวคิดที่จะพัฒนาหน่วยความจำที่ข้อมูลจะไม่หายไปแม้จะปิดสวิตช์ เขาใช้เวลาช่วงกลางคืนในการทำการวิจัยนี้โดยไม่ได้รับอนุญาตจากโตชิบ้า
1980 สร้าง Flash memory อย่างง่ายที่เรียกกว่า NOR-type (Not/or) flash memory
1981 สร้าง EEPROM (Electrically erasable programmable read-only memory)
1986 สร้าง Flash memory ประเภท NAND-type flash memory
1994 ออกจากโตชิบ้า มาทำงานเป็นศาสตราจารย์ที่มหาวิทยาลัยโตโฮกุ และเขาเริ่มสนใจพัฒนาทรานซิสเตอร์บนพื้นผิวแบบสามมิติ (Surrounding Gate Transistor)
1997 ได้รับรางวัล Morris N. Liebman Memorial จาก IEEE ในนิวยอร์ค